El nivel Fermi en semiconductores dopados

Simple item page
dc.contributor.authorOré, Casio R.
dc.date.accessioned2017-09-25T21:45:48Z
dc.date.available2017-09-25T21:45:48Z
dc.date.issued1998es_ES
dc.formatapplication/pdf
dc.identifier.urihttp://revistas.pucp.edu.pe/index.php/promathematica/article/view/8130/8422
dc.language.isospa
dc.publisherPontificia Universidad Católica del Perúes_ES
dc.publisher.countryPE
dc.relation.ispartofurn:issn:2305-2430
dc.relation.ispartofurn:issn:1012-3938
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0*
dc.sourcePro Mathematica; Vol. 12, Núm. 23-24 (1998)es_ES
dc.subjectTeoría de Thomas-Fermies_ES
dc.subjectSemiconductoreses_ES
dc.subjectMatemáticases_ES
dc.subject.ocdehttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.01.00
dc.titleEl nivel Fermi en semiconductores dopadoses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.type.otherArtículo

Files

Collections

Vol. 12 Núm. 23-24 (1998)