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Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-05-09)
El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma ...
El telurio en la era tecnológica actual
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019-11-26)
Tellurium, Te, is a chemical element of low abundance on Earth. Its importance in the current technological era has given it preponderance for its non-linear optics properties in the development of devices with applications ...
Propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de Óxido de Indio dopadas con Estaño y Terbio
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2018)
El efecto del dopaje de terbio sobre las propiedades ópticas, eléctricas y luminiscentes de películas
delgadas de óxido de indio dopadas con estaño fue estudiado para distintas temperaturas de
recocido. Las películas ...
Revisión teórica de la aproximación de medio efectivo y la transición de Mott para la descripción de las propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2022-05-31)
Los semiconductores son materiales que tienen propiedades intermedias entre los conductores y aislantes. Sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante dopaje o la aplicación de campos eléctricos. Es por eso que ...
Degradación de las propiedades ópticas de películas semiconductoras amorfas de nitruro de silicio a-SiN producidas por pulverización catódica de radiofrecuencia
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2015-07-13)
En el presente trabajo se encuentran compilados el estudio de propiedades ópticas y vibracionales de películas delgadas amorfas de nitruro de silicio depositadas bajo diferentes presiones de trabajo. Las películas han sido ...
Implementación de un sistema de medición de resistividad eléctrica de películas delgadas semiconductoras de bajas temperaturas
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
Un sistema de medición de resistividad eléctrica de películas delgadas a bajas temperaturas fue implementado empleando un sistema criogénico de ciclo cerrado de helio, un sistema de control de temperatura y un sistema de ...
La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2022-07-05)
En la literatura los análisis ópticos y térmicos presentan una desconexión, a pesar de tener un
gran ámbito en común desde el punto de vista teórico. La evolución del ancho de banda respecto
de la temperatura es un factor ...
El nivel Fermi en semiconductores dopados
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 1998)
Automatización de los procesos de plasma y evaporación en la elaboración de películas semiconductoras delgadas
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2014-06-06)
En el presente trabajo de tesis se realizó el diseño e implementación de un sistema que tiene como objetivo ofrecer al usuario la posibilidad de aumentar o disminuir el nivel de voltaje o corriente de los procesos de ...
Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A ...