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On the fundamental absorpion of amorphous semiconductors
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2016-06-20)
The present thesis reviews different models that describe the fundamental absorption of
amorphous semiconductors. These models make use of the electronic density of states to
shape the absorption coefficient in the ...
Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2016-06-21)
Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, ...
Estudio de la superficie de Si (111) 7×7 mediante microscopía de efecto túnel
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-06-14)
El objetivo de este trabajo es estudiar la superficie de silicio orientada en la dirección (111) y preparada en la reconstrucción 7x7 en condiciones de ultra alto vacío (a una presión del orden de 10-10Torr). La idea es ...
Comparison and evaluation of measured and simulated high-frequency capacitance-voltage curves of MOS structures for different interface passivation parameters
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019-06-27)
Semiconductor-insulator interfaces play an important role in the performance of
many different electronic and optoelectronic devices such as transistors, LEDs, lasers
and solar cells. Particularly, the recombination of ...
Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-05-09)
El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma ...
El telurio en la era tecnológica actual
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019-11-26)
Tellurium, Te, is a chemical element of low abundance on Earth. Its importance in the current technological era has given it preponderance for its non-linear optics properties in the development of devices with applications ...
Degradación de las propiedades ópticas de películas semiconductoras amorfas de nitruro de silicio a-SiN producidas por pulverización catódica de radiofrecuencia
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2015-07-13)
En el presente trabajo se encuentran compilados el estudio de propiedades ópticas y vibracionales de películas delgadas amorfas de nitruro de silicio depositadas bajo diferentes presiones de trabajo. Las películas han sido ...
La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2022-07-05)
En la literatura los análisis ópticos y térmicos presentan una desconexión, a pesar de tener un
gran ámbito en común desde el punto de vista teórico. La evolución del ancho de banda respecto
de la temperatura es un factor ...
Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A ...
Propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de Óxido de Indio dopadas con Estaño y Terbio
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2018)
El efecto del dopaje de terbio sobre las propiedades ópticas, eléctricas y luminiscentes de películas
delgadas de óxido de indio dopadas con estaño fue estudiado para distintas temperaturas de
recocido. Las películas ...