Tesis y Trabajos de Investigación PUCP
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Ítem Texto completo enlazado Comparación entre estructuras de linealización de transconductores en tecnología CMOS(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2012-09-21) Alfaro Purisaca, Paul Anthony; Saldaña Pumarica, Julio CésarEn este trabajo de tesis se presenta el análisis y la comparación de un conjunto de estructuras de linealización de transconductores. Los transconductores son circuitos utilizados en la implementación de filtros integrados analógicos que reemplazan a los resistores los cuales ocupan demasiada área dentro del circuito integrado. En el caso de la adquisición de señales ECG, se requieren de filtros que trabajen en bandas en el orden de mHz a cientos de Hz y eso implica que los valores de transconductancia se encuentren en el orden de los pS a nS. Obtener estos valores de transconductancia manteniendo un rango lineal adecuado representa un gran desafío para el diseñador de este tipo de bloques analógicos, siendo necesario emplear alguna estructura de linealización. Sin embargo, se debe realizar un análisis cuidadoso del efecto de estas estructuras en parámetros como ruido y offset. Un punto importante en esta tesis es el desarrollo de ecuaciones que modelan el comportamiento eléctrico de las estructuras de linealización. Estas permiten obtener de manera rápida y efectiva un amplio panorama de los principales compromisos entre los parámetros de desempeño: transconductancia, rango lineal, ruido, consumo de corriente y offset. Cabe mencionar que estas ecuaciones fueron obtenidas utilizando el modelo matemático ACM (Advanced Compact Mosfet Model) del transistor MOS. Este modelo es válido en todas la regiones de operación del transistor y en todos los niveles de inversión, es decir, utilizando una única ecuación se puede modelar el comportamiento del transistor en todas las condiciones. Debido a esto, las ecuaciones desarrolladas en esta tesis para las arquitecturas de linealización son válidas para todas las condiciones de polarización de los transistores, lo cual representa un aporte importante del presente trabajo. Se realizó el análisis de tres estructuras de linealización: par diferencial con resistencias de degeneración, estructura propuesta por Krummenacher y Joehl [1] y la estructura propuesta por Silva Martinez [2]. La especificación de diseño fue que el rango lineal sea el máximo posible para una transconductancia de 10nS y una desviación estándar del offset menor a 5mV. El proceso de fabricación considerado para el diseño tiene 0,35μm como mínima longitud de canal.Ítem Texto completo enlazado Diseño en CMOS de un filtro pasa-bajo con frecuencia de corte de 150Hz para la adquisición de señales del electrocardiograma(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-11-03) Varela Marcelo, Fiorela VanesaEn la actualidad la electrónica está contribuyendo con la calidad de vida de los seres humanos mediante el desarrollo de equipos empleados en el diagnóstico o tratamiento de enfermedades. Un resultado de esta tendencia es la aparición de dispositivos portátiles, alimentados con baterías, que permiten la adquisición continua de señales de ECG (Electrocardiograma). La importancia de las señales ECG radica en que permiten detectar trastornos del ritmo cardíaco, de la conducción y desequilibrios electrolíticos, así como documentar el diagnóstico y evolución de los infartos del miocardio, isquemia y pericarditis; y también vigilar y evaluar efectos farmacológicos de los medicamentos sobre el corazón y la actividad de los marcapasos, entre otros. La presente tesis tuvo como objetivo el diseño de un filtro pasa-bajo en tecnología CMOS para acondicionar señales de ECG. Este acondicionamiento consiste en la eliminación de ruido de alta frecuencia y la limitación de la banda de frecuencia para evitar el efecto aliasing en la conversión analógica-digital. El circuito cumple con los requerimientos necesarios para filtrar correctamente la señal dejando pasar el rango de frecuencias que contiene la información más relevante del ECG. El filtro tiene una frecuencia de corte es 150Hz y está constituido por transconductores de 10nS que poseen un coeficiente de linealidad (®) menor a 1% en un rango de entrada de ±300mV . En esta tesis se describen todas las etapas de diseño del filtro pasa-bajo, el cual se llevó a cabo utilizando el modelo Level 1 del transistor MOSFET para los cálculos manuales y la herramienta CADENCE para la simulación eléctrica.