Prado Saldaña, Víctor Zacarías2011-05-092011-05-0920082011-05-09http://hdl.handle.net/20.500.12404/225El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares.spainfo:eu-repo/semantics/openAccesshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/BiosensoresDetectores químicosSemiconductoresSPICE (Programas para computadoras)Transistores de efecto de campoinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.02.01