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Estudio de la superficie de Si (111) 7×7 mediante microscopía de efecto túnel
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-06-14)
El objetivo de este trabajo es estudiar la superficie de silicio orientada en la dirección (111) y preparada en la reconstrucción 7x7 en condiciones de ultra alto vacío (a una presión del orden de 10-10Torr). La idea es ...
Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2016-06-21)
Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, ...
Comparison and evaluation of measured and simulated high-frequency capacitance-voltage curves of MOS structures for different interface passivation parameters
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019-06-27)
Semiconductor-insulator interfaces play an important role in the performance of
many different electronic and optoelectronic devices such as transistors, LEDs, lasers
and solar cells. Particularly, the recombination of ...
Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A ...
Degradación de las propiedades ópticas de películas semiconductoras amorfas de nitruro de silicio a-SiN producidas por pulverización catódica de radiofrecuencia
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2015-07-13)
En el presente trabajo se encuentran compilados el estudio de propiedades ópticas y vibracionales de películas delgadas amorfas de nitruro de silicio depositadas bajo diferentes presiones de trabajo. Las películas han sido ...
Automatización de los procesos de plasma y evaporación en la elaboración de películas semiconductoras delgadas
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2014-06-06)
En el presente trabajo de tesis se realizó el diseño e implementación de un sistema que tiene como objetivo ofrecer al usuario la posibilidad de aumentar o disminuir el nivel de voltaje o corriente de los procesos de ...
Propiedades ópticas y eléctricas de películas delgadas de Óxido de Indio dopadas con Estaño y Terbio
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2018)
El efecto del dopaje de terbio sobre las propiedades ópticas, eléctricas y luminiscentes de películas
delgadas de óxido de indio dopadas con estaño fue estudiado para distintas temperaturas de
recocido. Las películas ...
Revisión teórica de la aproximación de medio efectivo y la transición de Mott para la descripción de las propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2022-05-31)
Los semiconductores son materiales que tienen propiedades intermedias entre los conductores y aislantes. Sus propiedades eléctricas pueden modificarse mediante dopaje o la aplicación de campos eléctricos. Es por eso que ...
Implementación de un sistema de medición de resistividad eléctrica en películas delgadas semiconductoras por el método de Van der Pauw
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
La resistividad eléctrica es una propiedad física intrínseca e independiente del tamaño o forma de un material, que nos da información acerca de cómo se comporta el material al paso de la corriente eléctrica. Por el valor ...
Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-05-09)
El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma ...