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La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2022-07-05)
En la literatura los análisis ópticos y térmicos presentan una desconexión, a pesar de tener un
gran ámbito en común desde el punto de vista teórico. La evolución del ancho de banda respecto
de la temperatura es un factor ...
Degradación de las propiedades ópticas de películas semiconductoras amorfas de nitruro de silicio a-SiN producidas por pulverización catódica de radiofrecuencia
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2015-07-13)
En el presente trabajo se encuentran compilados el estudio de propiedades ópticas y vibracionales de películas delgadas amorfas de nitruro de silicio depositadas bajo diferentes presiones de trabajo. Las películas han sido ...
Verificación teórica y experimental de las monocapas auto-ensambladas de Bromoalquilo en superficies hidrogenadas de Si(100)
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2018-07-09)
La formación de monocapas orgánicas auto-ensambladas en superficie de silicio es una alternativa prometedora para el desarrollo de nuevos materiales, cuyas propiedades fisicoquímicas controlan la estructura electrónica, ...
Automatización de los procesos de plasma y evaporación en la elaboración de películas semiconductoras delgadas
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2014-06-06)
En el presente trabajo de tesis se realizó el diseño e implementación de un sistema que tiene como objetivo ofrecer al usuario la posibilidad de aumentar o disminuir el nivel de voltaje o corriente de los procesos de ...
El nivel Fermi en semiconductores dopados
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 1998)
Caracterización eléctrica de contactos de aluminio fabricados por deposición física de vapor sobre obleas de Silicio de distintos dopajes
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2017-05-25)
Los dispositivos electrónicos formados por semiconductores se encuentran conectados con otros terminales externos por medio de contactos metálicos, los cuales forman las conexiones dentro de los circuitos integrados. A ...
Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x (AIN) x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2016-06-21)
Películas delgadas amorfas semiconductoras de amplio ancho de banda del compuesto pseudobinario (SiC)1-x(AlN)x fueron depositadas por pulverización por un sistema de dos magnetrones de radio frecuencia sobre CaF2, MgO, ...
On the fundamental absorpion of amorphous semiconductors
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2016-06-20)
The present thesis reviews different models that describe the fundamental absorption of
amorphous semiconductors. These models make use of the electronic density of states to
shape the absorption coefficient in the ...
Estudio de la superficie de Si (111) 7×7 mediante microscopía de efecto túnel
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2011-06-14)
El objetivo de este trabajo es estudiar la superficie de silicio orientada en la dirección (111) y preparada en la reconstrucción 7x7 en condiciones de ultra alto vacío (a una presión del orden de 10-10Torr). La idea es ...
Utilización de una Nariz Electrónica elaborada a partir de MOS para la evaluación y diferenciación de la calidad del pisco peruano
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2023-08-31)
El objetivo de la presente tesis es realizar la diferenciación de las variedades de Pisco (Italia
y Quebranta) que cumplan con la Denominación de Origen, así como la diferenciación del
Pisco Quebranta con mezclas adulteradas ...